В этом месяце IBM отметила 20-летний юбилей проекта разработки магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM). Изначально цель ставилась в управлении ячейкой при помощи электромагнитного поля. Сейчас проект трансформировался в разработку ячейки памяти с записью информации при помощи передачи момента вращения спина электроном. Такой тип памяти получил название STTMRAM (spin-transfertorqueMRAM).
Вместе с IBM над этим проектом работало много партнеров. Первым была компания Motorola. Затем — компании Infineon, TDK, Micron и другие. Благодаря участию специалистов из этих компаний проект удалось превратить из чисто теоретической концепции в реальную технологию. В течение нескольких лет ряд технических проблем мешал масштабировать память до высокой плотности. Но эту проблему все же удалось решить. И сейчас мы вместе с компанией Samsung подошли к завершающему этапу. Можно сказать, что разработка уже близка к коммерческому запуску. Сейчас основная задача решена, специалисты …
